长鑫存储：国产DRAM路径、产能边界与生态位置

摘要

截至2026年8月11日，长鑫科技集团股份有限公司已于7月27日登陆上交所科创板，证券代码688825。其核心经营实体长鑫存储已形成覆盖DRAM设计、工艺研发、晶圆制造、测试及模组的IDM体系，在合肥、北京拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。按招股书引用的Omdia数据，公司以2025年第四季度销售额计的全球DRAM份额达到7.67%，位列全球第四、中国第一。长鑫科技招股说明书，2026-07-22

长鑫真正完成的跨越，不只是“造出国产内存”，而是从2019年的8Gb DDR4起点，逐步建立第一代至第四代工艺技术平台，并量产LPDDR5、DDR5和LPDDR5X。2025年，公司营业收入617.99亿元、综合毛利率40.99%，首次实现年度盈利；但利润改善既来自销量和先进产品占比提升，也高度受益于DRAM价格上涨，不能简单外推为稳定盈利中枢。

长鑫当前最重要的产业位置，是中国通用DRAM的规模化供给平台，而非已经全面对标国际三强的全品类存储巨头。决定其下一阶段上限的，不只是名义晶圆产能，更是先进工艺良率、单片晶圆可售容量、DDR5服务器验证、高端设备材料可获得性以及跨周期成本竞争力。

一、从8Gb DDR4到第四代平台：国产DRAM如何走通

DRAM制造比一般逻辑芯片更强调存储单元一致性、缺陷控制、良率与规模效应。同一颗粒需要数十亿个电容和晶体管可靠工作，工艺升级不仅是缩小线宽，还涉及电容结构、光刻次数、材料体系、外围电路及测试算法的协同变化。

长鑫2016年在合肥启动项目，2018年完成8Gb DDR4工程样品验证，2019年9月公开8Gb DDR4并于同年11月获得首笔订单；北京项目一期、二期分别于2020年和2021年启动。该路线使中国大陆首次建立了可持续量产的通用DRAM平台。长鑫存储发展历程、8Gb DDR4投产公告

长鑫采取的关键策略是“跳代研发”：没有按每一代工艺线性推进，而是从第一代平台跨越至第三、第四代平台，以缩短与国际厂商的差距。产品端则遵循需求牵引：LPDDR5于2023年量产，DDR5于2024年量产，LPDDR5X于2025年量产；与此同时，公司自有DDR4产品已从2024年底起停止生产，反映资源正转向更高代际产品。长鑫科技招股说明书，2026-07-22

停产自有DDR4并不意味着完全退出DDR4市场，而是说明在有限晶圆产能下，DDR5和LPDDR5/5X拥有更高的容量价值、售价和战略优先级。长鑫已由“填补空白”进入“主动管理产品组合”的阶段。

二、产品能力：参数追平不等于综合竞争力追平

截至信息截止日，长鑫公开产品覆盖DDR5、LPDDR5/5X、DDR4及LPDDR4X。其中DDR5颗粒容量覆盖16Gb和24Gb，最高速率8000Mbps，官方称功耗较DDR4降低20%；LPDDR5X提供12Gb和16Gb颗粒，最高速率10667Mbps，较其LPDDR5最高速率提升66%，官方内部测试显示功耗降低30%。长鑫存储产品页

资料来源：长鑫科技招股说明书、长鑫存储产品页。

招股书显示，长鑫已具备从8GB至128GB的DDR模组方案，服务器DDR5覆盖64GB以上规格；其产品进入阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO和vivo等客户供应链。这些客户关系属于发行人正式披露，并非市场传闻。不过，招股书没有逐项披露各客户对应产品、订单额、采购期限及未来采购承诺，因此不能将“进入供应链”等同于独家供应或长期锁量。

标准DRAM遵循统一接口规范，同代产品在标称速率、电压和基础功能上天然趋同。真正拉开差距的是良率、可靠性、批次一致性、长期供货能力以及客户平台验证。因而，“参数达到主流水平”是进入竞争的门票，不是综合竞争力已经追平三星、SK海力士和美光的充分证据。

三、经营拐点：617.99亿元收入怎样形成

长鑫营业收入由2023年的90.87亿元增至2024年的241.78亿元、2025年的617.99亿元，两年复合增长率160.78%；归母净利润分别为-163.40亿元、-71.45亿元和18.75亿元，扣非归母净利润在2025年达到53.16亿元。2025年经营现金流净额为365.20亿元，较2023年的-72.72亿元明显改善。长鑫科技招股说明书，2026-07-22

收入跃升来自三股力量叠加：晶圆产能爬坡；工艺进步带来的单片晶圆可售容量提升；以及2025年下半年DRAM供需趋紧、产品价格上涨。2025年DDR与LPDDR毛利率分别达到41.89%和37.25%，DDR5快速放量令DDR系列单位价格同比上涨61%。

这也揭示了经营拐点的脆弱性。2023年长鑫转销前综合毛利率为-112.71%，2024年仍为-4.03%，到2025年才升至37.81%。DRAM兼具技术品与强周期商品属性，价格上涨时收入、库存价值和产能利用率共同改善；价格下跌时，高折旧晶圆厂会迅速放大利润压力。

2025年的盈利证明长鑫已跨过“规模不足必然亏损”的门槛，但尚不能证明其形成了穿越周期的稳定盈利能力。更有解释力的观察指标，应是下一轮价格下行阶段的单位成本、现金毛利率和经营现金流，而不是景气高点的单年净利润。

四、产能边界：能确认什么，不能确认什么

招股书确认长鑫在合肥、北京拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，2023—2025年产能利用率分别为87.06%、92.46%和95.73%，按容量口径计算的产销率分别为99.45%、97.94%和90.67%。公司上市募集资金净额计划中的75亿元用于量产线技术升级改造、130亿元用于DRAM技术升级、90亿元用于前瞻技术研发。证监会注册批复、上交所上市公告

市场常见的“月产35万片”“接近或超过美光”“新建第四座晶圆厂”等说法，公开监管文件未提供可直接对应的已投产月产能、良率及等效晶圆口径，公开资料未能确认。不同工艺平台、颗粒密度和良率下，同样一片12英寸晶圆产生的可售容量差异很大，不能仅用晶圆片数推导市场份额。

更合理的产能分析应分三层：

1. 设备产能：生产线理论月投入晶圆数；
2. 有效产能：扣除维护、试产和工艺切换后的实际投入；
3. 位元产能：综合晶圆投入、颗粒密度与良率后的可售存储容量。

长鑫接近96%的利用率说明短期增量越来越依赖技术改造、新设备导入和良率提升，而不是简单提高开工率。募投项目重点落在技术升级而非单纯新建厂房，也意味着“每片晶圆产出更多位元”可能比名义扩产更关键。

五、生态位置：链主价值不止于国产替代

长鑫的产业带动作用具有双重结构。上游包括晶圆、光刻胶和其他化学品、电子气体、靶材、设备及零部件；中游是DRAM设计、制造、封装测试和模组；下游覆盖手机、PC、服务器、汽车及物联网。公司芯片封装主要采用委外模式，测试以自主为主、委外为辅，因此其扩产会同步拉动本土封测、测试设备和模组企业。

2025年长鑫研发投入95.93亿元，三年累计206.05亿元；截至年末有研发人员6259人，占员工总数32.43%，拥有境内专利3929件、境外专利3043件。公司亦通过与Rambus、WiLAN旗下Polaris签署专利许可或采购协议，补充DRAM知识产权组合。长鑫存储创新体系、Rambus许可协议、WiLAN许可及采购协议

这说明国产替代并非供应链完全封闭，而是以自主研发、合法许可和全球协作为共同基础。与此同时，美国商务部已加强半导体制造设备、ECAD/TCAD软件及部分HBM相关出口管制，国际设备、软件和技术服务的可获得性仍构成长鑫持续升级的重要外部约束。美国商务部BIS出口管制说明，2024-12-02

长鑫最具战略价值的角色，是成为本土设备材料的高强度验证平台。只有链主提供长期、批量且可重复的生产环境，国产设备和材料才能由“进入供应商名单”走向稳定量产；但招股书没有完整披露具体国产化率和各供应商份额，公开资料未能确认单项设备、材料的替代比例。

六、竞争边界：全球第四与国际三强之间仍隔着什么

2025年三星、SK海力士和美光按销售额计算的全球DRAM份额分别为33.96%、34.48%和23.41%，合计超过90%；长鑫7.67%的数据则是2025年第四季度口径。两组数据的统计周期不同，不能直接相加或进行完全等口径比较。长鑫科技招股说明书

长鑫已经具备标准DDR5和LPDDR5X量产能力，但国际三强的优势仍包括更大的研发与资本开支、更成熟的高端服务器客户体系、更完整的HBM产品组合、领先封装能力和全球渠道。长鑫招股书主要披露DDR与LPDDR业务，没有披露已量产HBM产品。

关于长鑫已经量产HBM2、HBM3，或已获得特定AI芯片企业大额订单的说法，公开公司官网、招股书及交易所文件未能确认；上海相关后道项目、研发计划或媒体报道不能自动等同于通过客户验证并实现规模收入。

长鑫短期最现实的突破口仍是通用DRAM：借国际厂商将更多资源转向HBM之机，提高DDR5、LPDDR5X在中国手机、PC和服务器市场的份额。HBM则需要存储芯片、TSV、先进封装、基板、热管理和AI加速器联合验证，其商业化节奏不宜仅依据单项研发或厂房信息判断。

七、判断商业化质量的五个信号

第一，先进产品收入占比，而非新品是否“发布”。第二，单片晶圆可售容量和单位成本下降速度。第三，服务器及旗舰手机客户验证能否形成持续采购。第四，景气下行期能否维持正现金毛利。第五，国产设备材料能否由小批验证转为多厂区复制。

如果上述指标同步改善，长鑫将从政策意义上的国产替代者，转为能够影响全球通用DRAM供需的规模厂商；若增长主要依赖价格上行和高利用率，则扩产反而可能放大下一轮周期压力。

常见问题

长鑫已经完成上市了吗？

是。中国证监会于2026年6月5日同意其首次公开发行注册，公司于7月27日在科创板挂牌，代码688825，发行价8.66元/股。证监会批复、上市公告

长鑫的技术是否已经追平国际三强？

在DDR5、LPDDR5X的公开容量和速率指标上已进入主流区间，但在工艺成熟度、良率、成本、客户验证、HBM及全球供应体系方面，公开证据不足以支持“全面追平”。

长鑫的准确月产能是多少？

招股书确认3座12英寸晶圆厂及95.73%的2025年产能利用率，但未公开能够消除工艺、良率和等效晶圆口径差异的统一月产能数据。外部估算不能视为公司确认产能。

可引用结论

1. 长鑫的核心突破不是单颗DDR芯片国产化，而是建立了可持续迭代的本土DRAM IDM平台。
2. 2025年盈利是规模、产品升级与价格周期共同作用的结果，真正的成本竞争力仍需下一轮下行周期检验。
3. 晶圆片数只是产能外壳，决定竞争力的是良率、颗粒密度与单片可售位元。
4. 长鑫现阶段最确定的位置是全球第四大通用DRAM厂商，HBM规模量产和大额客户订单仍缺少公开确认。

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参考资料

1. 长鑫科技首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书
2. 长鑫科技科创板上市公告书
3. 中国证监会关于同意长鑫科技首次公开发行股票注册的批复
4. 上海证券交易所发行上市公告
5. 长鑫存储产品与服务
6. 长鑫存储公司简介与发展历程
7. 长鑫存储技术创新体系
8. 长鑫存储与Rambus专利许可协议
9. 长鑫存储与WiLAN子公司专利许可及采购协议
10. 美国商务部BIS先进半导体出口管制说明